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    • SK하이닉스, 3세대 10나노급 DDR4 D램 개발

      [서울경제TV=김혜영기자] SK하이닉스가 3세대 10나노급(1z) 16기가비트(Gb) DDR 4 D램을 개발했습니다.   삼성전자의 올초 3세대 10나노급 D램 개발에 뒤이은 것으로 글로벌 반도체 경기의 회복이 예상되는 내년을 대비한 포석으로 풀이됩니다.   SK하이닉스는 올해 안에 양산 준비를 완료해 내년부터 본격적으로 양산에 돌입할 예정이라고 밝혔습니다.   DDR은 표준형 D램에 비해 데이터 처리 속도가 얼마나 빠르냐에 따라 DDR2, DDR3 등으로 구분되는데, 이번 제품은 DDR4 ..

      산업·IT2019-10-21

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    • SK하이닉스, 1테라비트 128단 4D 낸드 양산…“세계 최초”

      SK하이닉스가 세계 최초로 128단 4D 낸드플래시를 양산합니다.   SK하이닉스에 따르면 이 제품은 업계에서 가장 높은 128단 4D 낸드로 초균일 수직 식각 기술, 고신뢰성 다층 박막 셀 형성 기술, 초고속 저전력 회로 설계 등 기술이 적용됐습니다.   또 트리플 레벨 셀 저장방식으로 구현한 낸드 가운데서는 최대 용량인 1Tb(테라비트)를 확보했습니다.   이 제품은 기존 96단 4D 낸드보다 생산성이 40% 향상되고, 투자효율도 60% 올렸습니다.   96단 낸드에서 셀을 ..

      산업·IT2019-06-26

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    • SK하이닉스, 세계 최초 ‘128단 4D 낸드’ 양산

      SK하이닉스가 세계 최초로 128단 1Tbit(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시(사진)를 개발하고 양산에 나선다고 26일 밝혔다. 지난해 10월 96단 4D 낸드 개발 이후 8개월만이다. SK하이닉스가 이번에 양산하는 128단 낸드는 업계 최고 적층으로, 한 개의 칩에 3bit(비트)를 저장하는 낸드 셀 3,600억개 이상이 집적된 1Tb 제품이다. SK하이닉스는 이를 위해 자체 개발한 4D 낸드 기술에 초균일 수직 식각 기술, 고신뢰성 다층 박막 셀 형성 기술, 초고속 저전력 회로 설계 등 혁..

      산업·IT2019-06-26

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