고은정 SK하이닉스 부사장 “올해 목표는 차세대 초고층 낸드 플래시 개발”

[서울경제TV=윤혜림기자] 고은정 SK하이닉스 부사장이 올해 최대 목표로 차세대 초고층 낸드플래시 개발 성공을 내세웠다.

SK하이닉스는 뉴스룸을 통해 고 부사장의 인터뷰를 19일 공개했다.

고 부사장은 “공정 미세화(Scale-down)를 하는 DRAM과 적층 구조(Stack-up)를 만들어야 하는 낸드플래시의 공정은 많이 다를 수 있지만, 결국은 한 회사의 시스템 안에서 개발이 진행되고 있다”며 “차세대 낸드플래시 공정 개발이 쉽진 않겠지만 이러한 경험과 사고를 기반으로 시너지를 만들어 가겠다”고 전했다.

반도체 시장의 반등 시점에서 SK하이닉스가 우위를 점하기 위해서는 낸드플래시 제품의 기술 경쟁력이 꼭 필요하다는 것이 고 부사장의 의견이다.

고 부사장은 R&D 전략실에서의 경험이 거시적인 관점 확대에 도움이 됐다고 밝혔다. 낸드플래시와 디램 시장을 동시에 보고 연구 전략을 기획할 수 있었기 때문이다.

또한, 고 부사장은 목표를 이루기 위해 여러 조직이 하나로 뭉치는 ‘원팀으로서의 협업’을 강조했다.

고 부사장은 “반도체 개발은 어느 한 조직의 노력만으로 얻을 수 있는 것이 아니다. 공정, 소자, 설계, 제품 등 모든 조직의 협업이 있어야 가능하다. 차세대 낸드플래시 개발 역시 쉽지는 않겠지만 진정한 원팀으로 함께 노력한다면 결국 최고의 품질과 가격 경쟁력을 가지게 될 거라고 생각한다”고 말했다.

마지막으로 고 부사장은 모든 구성원에게도 프로의 자세를 가져야 한다고 당부함과 동시에 새해 키워드로 십시일반을 꼽았다.

그는 “반도체 공정에서는 한 사람이 모든 일을 할 수 없다. 각자의 자리에서 최선을 다해 업무를 하고, 그 결과들이 모여 하나의 제품이 완성된다”며 “모두의 저력을 한데 모아 더 큰 힘으로 만드는 십시일반의 2023년이 되길 소망한다. 혼자가 아닌 함께 하는 ‘우리’, 이것이 바로 위기를 돌파하는 SK하이닉스의 DNA다”라고 전하며 인터뷰를 마쳤다.

한편, 고 부사장은 2005년 입사 후 NAND Flash 개발과 양산 업무를 시작, DRAM 개발과 3D NAND Flash 개발 등 무게감 있는 프로젝트들을 두루 거쳤다. 이후, R&D 전략실에서 여러 분야를 넘나들며 주요 제품군 개발 전략 업무를 수행했다./grace_rim@sedaily.com