SK하이닉스, 9,500억 투입 中우시 메모리반도체 확장팹 준공

SK하이닉스는 중국 우시(無錫)에서 메모리 반도체 확장 팹(FAB·웨이퍼제조공장) 'C2F'의 준공식을 개최했다고 18일 밝혔다.
'새로운 도약, 새로운 미래'라는 주제로 열린 이날 준공식에는 리샤오민(李小敏) 우시시 서기, 최영삼 주상하이 총영사, 이석희 SK하이닉스 대표이사 등 관계자 약 500명이 참석했다.
C2F는 기존 D램 생산라인 C2를 확장한 것으로 회사는 지난 2016년 건설 계획을 발표한 뒤, 2017년 6월부터 이달까지 총 9,500억원을 투입해 생산 공간을 확보했다.준공된 C2F는 건축면적 5만8,000㎡의 단층 팹으로 기존 C2 공장과 비슷한 규모다. SK하이닉스의 첫 300㎜ 팹인 C2는 지난 2006년부터 D램을 생산해왔으나, 공정 미세화에 따라 공정 수가 늘고 장비가 커지면서 2014∼2015년께 생산 공간이 부족해졌고, 이에 따라 팹을 확장하게 됐다. SK하이닉스는 지난 1월 초 C2F를 처음 가동해 D램을 생산하기 시작했고, 추가적인 장비 입고 시기는 시장 상황에 따라 탄력적으로 결정할 계획이다. 
강영수 우시팹 담당 전무는 "C2F 준공을 통해 우시 팹의 중장기 경쟁력을 확보하게 됐다"며 "기존 C2 공장과 '원(one) 팹'으로 운영해 우시 팹의 생산과 운영 효율을 극대화할 것"이라고 말했다. /이보경기자 lbk508@sedaily.com