SK하이닉스, 세계 최초 10 나노급 6세대 D램 개발

[앵커]

SK하이닉스가 세계 최초로 현존 D램 중 가장 미세화된 10나노급 6세대(1c) 기술 개발을 완료했습니다. 신세대 미세공정의 개발과 적용을 통해 메모리 반도체 시장에서의 입지를 굳건히 하겠다는 계획입니다. 이수빈 기자입니다.

[기자]

SK하이닉스가 세계 최초로 10나노급 6세대(1c) 미세공정을 적용한 16Gb DDR5 D램을 개발하는 데 성공했습니다.

SK하이닉스는 6세대 미세공정 개발에 5세대 D램의 플랫폼을 확장하는 방식을 적용했습니다.

해당 방식을 통해 공정 고도화 에서 발생할 수 있는 시행착오를 줄이고 이전세대(1b)의 강점을 효율적으로 6세대 D램으로 옮겨온겁니다.

Sk하이닉스는 높아진 미세공정 난이도가 높아졌지만, 기존 5세대 기술력을 바탕으로 기술 한계를 돌파해냈다고 설명했습니다.

극자외선(EUV) 특정 공정에 신소재를 개발하여 적용하고 해당 과정을 최적화해 원가 경쟁력을 확보했습니다.

설계 기술 혁신도 병행해 5세대 대비 생산성을 30% 이상 향상시킨 것이 이번 D램의 특징입니다.

Sk하이닉스는 올해 안으로 6세대 D램의 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급할 계획이라고 밝혔습니다.

6세대 D램은 고성능 데이터센터에 주로 활용될 전망입니다.

메모리의 동작속도가 이전 세대 대비 11% 빨라졌고 전력 효율이 9%이상 개선돼 클라우드 서비스를 운영하는 글로벌 고객들이 해당 D램을 통해 전력 비용을 최대 30%까지 줄일 수 있을 것으로 예상됩니다.

SK하이닉스는 앞으로 최첨단 D램 주력 제품군에 새로운 1c 공정 기술을 적용하면서 고객에게 차별화된 가치를 제공해가겠다고 밝혔습니다.

또 D램 시장 리더십을 지키고 가장 신뢰받는 AI 메모리 솔루션 기업의 위상을 공고히 하겠다는 계획입니다.

서울경제TV 이수빈입니다.

[영상편집 유연서]