SK하이닉스, 용인 클러스터 착공... "AI 메모리 고삐"

경제·산업 입력 2025-02-26 08:06:45 수정 2025-02-26 08:06:45 김혜영 기자 0개

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용인시 건축허가 승인에 착공 앞당겨
9.4조 투입해 2027년 5월 준공 목표
총 4기 조성···1기 소부장 미니팹 구축
HBM 포함 차세대 D램 메모리 생산 거점 구축

[사진=SK하이닉스]
[서울경제TV=김혜영기자]SK하이닉스가 120조원을 투자하는 용인 반도체 클러스터 내 생산 시설 착공에 첫 삽을 떴다. 2019년 2월 공장 4곳 건설 계획을 발표한 지 6년 만이다. SK하이닉스는 용인 클러스터에 총 4기의 팹을 순차적으로 조성할 예정이다. 1기 팹은 2027년 5월 준공이 목표다.

25일 SK하이닉스 뉴스룸에 따르면 SK하이닉스는 전날 용인 반도체 클러스터 1기 팹의 본격 착공에 들어갔다. SK하이닉스는 애초 다음 달 착공을 계획했지만 용인시가 예정보다 이른 이달 21일 건축을 허가하면서 시점을 앞당겼다. 용인시는 지난해 4월 SK하이닉스와 ‘생산라인 조기 착공 추진과 지역 건설산업 활성화를 위한 업무협약’을 맺은 데 이어 건축허가 태스크포스(TF)를 구성, 인허가 절차에 나섰다. 

경기 용인시 원삼면 일대 415만㎡(약 126만평) 규모의 부지에 구축될 용인 반도체 클러스터는 SK하이닉스 팹(약 60만평)과 소부장(소재·부품·장비) 업체 협력화단지(14만평), 인프라 부지(12만평)로 조성되는 반도체 산업단지다. SK하이닉스는 이곳을 고대역폭 메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램 메모리의 생산 거점으로 삼고, AI 메모리 반도체의 수요에 적기에 대응, 중장기 성장 기반을 구축한다는 방침이다.

특히 1기 팹 안에는 국내 소부장 중소기업의 기술 개발과 실증, 평가를 지원하는 ‘미니팹’도 구축된다. 미니팹은 300㎜ 웨이퍼 공정 장비를 갖춘 연구시설이다. 소부장 협력사들은 실제 생산 현장과 유사한 환경의 미니팹에서 기술 완성도를 높일 수 있다. 국내 대학과 소부장 기업들은 실험 장비나 클린룸 등 인프라가 부족해 연구개발(R&D)에 많은 어려움을 겪었다. SK하이닉스의 1기 팹이 소부장 기업들의 혁신을 이끌어 공급망 경쟁력까지 끌어올릴 수 있는 것이다.

최태원 SK그룹 회장은 2023년 9월 부지 조성 작업 중인 용인 클러스터 현장을 방문해 “용인 클러스터는 SK하이닉스 역사상 가장 계획적이고도 전략적으로 추진되는 프로젝트”라며 “지금까지 해오던 대로 하는 것 이상의 도전이 필요하다”고 강조한 바 있다./hyk@seadaily.com

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