SK하이닉스, 3세대 10나노급 DDR4 D램 개발

[서울경제TV=김혜영기자] SK하이닉스가 3세대 10나노급(1z) 16기가비트(Gb) DDR 4 D램을 개발했습니다.

삼성전자의 올초 3세대 10나노급 D램 개발에 뒤이은 것으로 글로벌 반도체 경기의 회복이 예상되는 내년을 대비한 포석으로 풀이됩니다.

SK하이닉스는 올해 안에 양산 준비를 완료해 내년부터 본격적으로 양산에 돌입할 예정이라고 밝혔습니다.

DDR은 표준형 D램에 비해 데이터 처리 속도가 얼마나 빠르냐에 따라 DDR2, DDR3 등으로 구분되는데, 이번 제품은 DDR4 규격에 3세대 10나노급 미세공정을 적용했습니다.

SK하이닉스 관계자는 “이번에 개발된 D램은 단일 칩 기준으로 업계 최대 용량을 구현해 웨이퍼 1장에서 생산되는 메모리 총량도 가장 크다”고 설명했습니다. /jjss1234567@sedaily.com