삼성 ‘3D 낸드’·SK하이닉스 ‘HBM4E’…메모리 경쟁 심화

경제·산업 입력 2024-05-14 18:56:31 수정 2024-05-14 18:56:31 윤혜림 기자 0개

삼성, ‘VLSI’서 차세대 3D 낸드 개발 현황 공개
차세대 메모리 반도체 소재 ‘강유전체’로 단점 보완
SK하이닉스, 2026년 ‘7세대 HBM’ 개발 완료 목표
전 세대 대비 집적도 1.3배·전력 효율 30% 개선

[앵커]

삼성전자와 SK하이닉스가 차세대 메모리 시장 경쟁에 나서고 있습니다. 생성형 인공지능(AI) 확산 속도가 빨라지면서 당초 계획보다 차세대 제품 양산 시기를 1년가량 앞당기고 있는 분위긴데요. 윤혜림 기자입니다.

[기자]

삼성전자와 SK하이닉스가 새로운 메모리 제품 개발 로드맵을 밝혔습니다.

삼성전자는 다음 달 미국 하와이에서 열리는 반도체학회 ‘VLSI 심포지엄’에서 새로운 3D 낸드플래시 개발 현황을 공개할 예정입니다.

3D 낸드는 수직으로 셀(cell)을 쌓아 기존 평면 낸드보다 속도가 빠르고 용량을 늘릴 수 있습니다.

다만 층을 높일 때, 층 사이에 편차가 발생해 내구성이 약화되는 단점이 있는데, 이를 해결하기 위해 강유전체라는 신소재를 사용한다는 겁니다.

강유전체를 사용할 경우 박막을 더 얇고 강하게 만들 수 있어 안정성을 높이고 칩 성능을 개선시킬 수 있을 전망입니다.

삼성전자는 수년 내 1,000단대 낸드 개발을 목표로 기술개발에 집중하고 있습니다. 이번 심포지엄에선 내년에 선보일 400단대 낸드 제품 개발 현황과 함께 중장기 메모리 개발 계획을 공개할 것으로 관측됩니다.

SK하이닉스는 고대역폭 메모리 개발에 집중하고 있습니다. 어제(13일) 서울 광진구 그랜드워커힐 호텔에서 열린 국제메모리워크숍(IMW 2024)에서 7세대 고대역폭메모리(HBM)인 ‘HBM4E’ 개발을 이르면 2026년 완료할 계획이라고 밝혔습니다.

SK하이닉스는 HBM4E에 10나노급 6세대(1c) D램을 처음으로 HBM 제조에 적용할 것으로 알려졌습니다. 이렇게 되면 이전 세대 대비 대역폭은 1.4배, 집적도는 1.3배, 전력 효율은 30% 개선될 것으로 예상됩니다.

이날 SK하이닉스는 D램을 더 많이 쌓을 수 있는 ‘하이브리드 본딩’ 기술도 연구 중이라고 밝힌 만큼 HBM 시장 우위를 유지하기 위한 차세대 기술 개발 경쟁은 더욱 치열해질 전망입니다.

서울경제TV 윤혜림입니다. /grace_rim@sedaily.com

[영상편집 김가람]

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