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SK하이닉스, 3세대 10나노급 DDR4 D램 개발
SK하이닉스, 3세대 10나노급 DDR4 D램 개발
SK하이닉스가 3세대 10나노급(1z) 16기가비트(Gb) DDR 4 D램을 개발했습니다. 삼성전자의 올초 3세대 10나노급 D램 개발에 뒤이은 것으로 글로벌 반도체 경기의 회복이 예상되는 내년을 대비한 포석으로 풀이됩니다. SK하이닉스
2019-10-21김혜영 기자

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