SK하이닉스, ‘HBM3E 12단’ 양산…삼성은 HBM4 속도

[앵커]

SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 5세대인 HBM3E 12단을 세계 최초로 양산하기 시작했습니다. 앞서 지난 2월 삼성전자가 세계 최초로 HBM3E 12단 개발에 성공했다고 발표한 가운데 SK하이닉스가 제품 공급에 먼저 나서며 선두 자리를 굳히겠다는 전략을 펼치고 있는데요. 이수빈 기잡니다.

[기자]

SK하이닉스가 현존 HBM 중 최대 용량인 36GB(기가바이트)의 HBM3E 12단을 세계 최초로 양산해 연내 주요 고객사에 제품 공급을 시작한다고 밝혔습니다.

지난 3월 HBM3E를 엔비디아에 납품한지 약 6개월 만입니다.

HBM3E 12단은 엔비디아의 최첨단 고성능 인공지능(AI) 반도체에 들어갈 전망입니다.

HBM은 D램을 여러 개 쌓아 속도를 높이면서 전력 소비를 줄인 고성능 메모리 반도체로, AI 반도체에 필수적 요소로 꼽힙니다. D램에 비해 수익성이 월등히 높은 데다 수요도 급증하고 있어, 반도체 업체 입장에선 놓칠 수 없는 시장인 겁니다.

SK하이닉스는 기존 8단 제품과 동일한 두께로 3GB D램 칩 12개를 적층해 용량을 50% 늘렸습니다. D램 단품 칩을 기존보다 40% 얇게 만들고 실리콘전통관극(TSV) 기술을 활용해 수직으로 쌓은 것이 핵심입니다.

김주선 SK하이닉스 AI 인프라담당(사장)은 “AI 시대의 난제들을 극복하기 위한 차세대 메모리 제품을 착실히 준비해 ‘글로벌 1위 AI 메모리 공급자’로서의 위상을 이어가겠다”고 밝혔습니다.

SK하이닉스가 12단 제품 양산을 밝히면서 삼성전자의 발걸음도 바빠졌습니다.

앞서 지난 2월 삼성전자는 세계 최초로 HBM3E 12단 개발에 성공했다고 공개했는데, 현재 엔비디아에 HBM3E 12단 샘플을 보내 테스트 중인 것으로 알려졌습니다.
 

삼성전자는 오는 4분기 HBM3E 12단 양산을 시작으로 내년 HBM4 개발을 끝내고 2026년 양산에 나선다는 계획.

이를 위해 최신 공법인 하이브리드 본딩 공정과 함께 4나노 베이스 다이, 10나노급 6세대(1c) D램 도입까지 준비 중인 것으로 알려졌습니다.

차세대 AI 반도체 시장을 선점하기 위한 경쟁이 갈수록 치열해질 전망입니다.

서울경제 TV 이수빈입니다. /sb4139@sedaily.com

[영상편집 이한얼]